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TO-247-3L 碳化硅(SiC)器件 现货结果
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封装：TO-247-3L类目：碳化硅(SiC)器件
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件 · 具备1200V的高耐压能力（VDSS）
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HNVHL1000N170M1
HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力和1700V的高漏源电压耐受性 · 导通电
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HS2M0016120D
HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有115A的连续漏极电流（ID） · 1200V的断态漏源电压（VDSS
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