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HSCT3160KLHRC11 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT3160KLHRC11，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有18A的电流承载能力（ID），并能够承受高达1200V的阻断电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为160毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时提供稳

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MPN
HSCT3160KLHRC11
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCT3160KLHRC11
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