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HIMW65R057M1H HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMW65R057M1H，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有29A的最大导通电流（ID/A），并在断态下能承受高达650V的电压（VDSS/V）。其导通状态下的电阻（RDSON/mΩ）为60毫欧姆，在确保低能耗的同