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HSCTW40N120G2VAG HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCTW40N120G2VAG，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的连续排水电流（ID），并能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）在15V的栅源电压（VGS）下为75毫欧。此器件

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MPN
HSCTW40N120G2VAG
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCTW40N120G2VAG
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