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HNTHL030N120M3S HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNTHL030N120M3S,HXY MOSFET(华轩阳电子),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3L封装,询盘确认库存,该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件,具备1200V的高耐压能力(VDSS),适用于需要高效能和稳定性的电力转换场景。其最大连续漏极电流可达115A(ID),低至16mΩ的导通电阻(R

MPN
HNTHL030N120M3S
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HNTHL030N120M3S
公开内容边界

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