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HNVHL075N065SC1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
HNVHL075N065SC1,HXY MOSFET(华轩阳电子),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3L封装,询盘确认库存,这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计,最大漏极电流为29A,支持最高650V的漏源电压,适用于需要承受高压的工作环境。其导通电阻为60mΩ,有助于减少能量损耗,提高效率。栅源
- MPN
- HNVHL075N065SC1
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247-3L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HNVHL075N065SC1
