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HIMW120R045M1XKSA1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMW120R045M1XKSA1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A，能够承受高达1200V的漏源电压VDSS，确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电

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MPN
HIMW120R045M1XKSA1
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIMW120R045M1XKSA1
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