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TO-247 碳化硅(SiC)器件 现货库存

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TO-247 碳化硅(SiC)器件 现货结果

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封装：TO-247类目：碳化硅(SiC)器件
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结果货架 当前页 24 行 / 共 301 个 封装：TO-247 / 类目：碳化硅(SiC)器件
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

C3M0075120K

WOLFSPEED

数量:1个N沟道 · 类型:1个N沟道
状态现货可下单批号批号 21+22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量33,550 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
33,550
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IMW120R045M1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量1,200 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
1,200
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IMZ120R090M1H

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量813 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
813
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SCTWA30N120

ST(意法半导体)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):45A
状态现货可下单批号批号 18+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量4,600 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
4,600
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AIMW120R035M1HXKSA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET） · 具备优异的电气性能和稳定性
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AIMW120R045M1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：60A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AIMW120R045M1XKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：60A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AIMW120R060M1HXKSA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅（SiC）N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有1200V的漏源耐压（VDSS）和40A的最大漏极
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AIMW120R080M1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：30A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AOK060V65X2-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：650V · 电流：30A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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AOK065V65X2-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：650V · 电流：30A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AS2M040120P-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：60A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BCW120N40M2

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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BCW120N60M2

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BCW65N45M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C2M0080120D-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C2M0280120D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):7.6A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0025065D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流 · 漏源击穿电压为650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0040120D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):55A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0065090D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

数量:1个N沟道 · 类型:N沟道
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0075120D-A-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：30A
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0075120D-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V)：1200V · 电流：30A
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0160120D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):18A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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C3M0350120D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):7.6A
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封装TO-247 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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