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C3M0065090D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0065090D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用先进的碳化硅材料，具备优异的导热性和耐高压特性，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为36A，漏源击穿电压（VDSS）高达900

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MPN
C3M0065090D-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/C3M0065090D-HXY
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