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C3M0160120D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0160120D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关表现。其最大连续漏极电流ID为19A，漏源导通电阻RDON为160mΩ，能够在高电压环境下实现较为高效的电能传输。