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IMZ120R090M1H Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMZ120R090M1H，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，813件现货，特性：非常低的开关损耗。 无阈值导通状态特性 。 基准栅极阈值电压，VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 稳健的体二极管，适用于硬换向。应用：能源发电。 太