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C3M0350120D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0350120D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源击穿电压（VDSS），支持7A连续漏极电流（ID），导通电阻为320mΩ（RDON），在高压与高频应用中表现出色。基于碳化硅材料的优势，该器件