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TO-247H-4L 碳化硅(SiC)器件 现货结果
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封装：TO-247H-4L类目：碳化硅(SiC)器件
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AMR027V065H2-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS） · 导通电阻
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C3M0016120K-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET） · 具备优异的导通与开关性能
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IMZA65R033M2HXKSA1-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID） · 漏源击穿电压（VDSS）为650V
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IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET） · 具备52A的连续漏极电流能力
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IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻 · 栅源驱动
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IXSH100N65L2KHV-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力 · 漏源电压额定值为650V
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MSC017SMA120B4-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET） · 具有出色的导通和开关特性
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NTH4L032N065M3S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A · 漏源击穿电压（VDSS）达650V
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NVH4L032N065M3S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS） · 导通电阻
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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SICW025N065H4-BP-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A · 漏源击穿电压（VDSS）达650V
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UF3C065030K4S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力 · 最大漏源电压为650V
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UF3SC120016K4S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
本产品为120A 1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET） · 具备低导通电阻（RDON: 16mΩ
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