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G3F33MT06K-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
G3F33MT06K-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性使其在高频开关应用中表现出优异
- MPN
- G3F33MT06K-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247H-4L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/G3F33MT06K-HXY