PUBLIC PAGE SUMMARY

IMZA65R039M1HXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMZA65R039M1HXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备52A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，确保在中高压环境下稳定运行。导通电阻低至40mΩ，有效减少导通损耗，提升系统能效

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247H-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed