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IXSH100N65L2KHV-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXSH100N65L2KHV-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与低导通

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MPN
IXSH100N65L2KHV-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247H-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXSH100N65L2KHV-HXY
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