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ADG120N080G2

ANHI(安海)

ADG120N080G2
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF120N21M1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:1个N沟道
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF120N40M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BCBF120N80M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BCBF170N1000P1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:单管
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BCBF65N25W1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:单管
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF65N45M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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BMBF65N050UE1

Bestirpower(萃锦半导体)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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C3M0040120J1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):65A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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C3M0045065J1

WOLFSPEED

C3M0045065J1
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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C3M0045065J1-TR-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为70A · 漏源击穿电压达650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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CI30N120SMD7

Tokmas(托克马斯)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):31A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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CI7N170SMD7

Tokmas(托克马斯)

漏源电压(Vdss):1.7kV · 连续漏极电流(Id):7A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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CMS120N080B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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FDB024N08BL7(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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FDB0630N1507L(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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FDB0690N1507L(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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FF06100J-7-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压 · 导通电阻为94mΩ
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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G3F45MT06J-TR-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力 · 漏源击穿电压为650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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G3R75MT12J-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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HC1M40120J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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TO-263-7L
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HC3M001K170J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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HC3M0075120J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):30A
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TO-263-7L
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IMBG120R090M1HXTMA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):30A
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TO-263-7L
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