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FF06100J-7-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FF06100J-7-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，实现低导通损耗与高速开关能力，适用于高效