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TO-247-3L 现货库存

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TO-247-3L 现货结果

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结果货架 当前页 24 行 / 共 161 个 封装：TO-247-3L
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ACM120B028TD

AnBon(安邦)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):83A
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ADW120N040BH

ANHI(安海)

类型:N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ADW120N080G2

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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AFGHL40T65SPD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL50T65SQ

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL50T65SQD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL50T65SQDC

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL75T65SQ

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL75T65SQD

onsemi(安森美)

AFGHL75T65SQD
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL75T65SQDC

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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AFGHL75T65SQDT

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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APC60R030WMF

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ASW65R022EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ASW65R095EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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B1D20120HC

BASiC(基本)

整流电流:35A · 正向压降(Vf):1.46V@10A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-247-3L
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B1D40065HC

BASiC(基本)

二极管配置:1对共阴极 · 整流电流:62A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-247-3L
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BCW120N160W1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BCW120N21M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BKW120N040LZ1

Bestirpower(萃锦半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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BMW65N028UA1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BMW80N180C1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BMW95N180UE1Z

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):950V
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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CGR75N120F2KAD

CJ(江苏长电/长晶)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3L
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CRJQ30N60G2F

CRMICRO(华润微)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):83A
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封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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