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ASW65R095EFD ANHI(安海) 现货与清单询价

ASW65R095EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.082Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3至5V。应用：升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑

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MPN
ASW65R095EFD
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ASW65R095EFD
公开内容边界

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