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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGMSEMI(芯控源)HL(富海微)
封装/规格：
PDFN5x6-8L
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120N03F

HL(富海微)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20G10F

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):15A
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40P04F

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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50P03F

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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60G20F

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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60P03F

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):60A
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90P03F

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM028N08A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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AGM035N10A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM042N10A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM1010A-E

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM1010A2

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM1075MNA

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):16A
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AGM12T08A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V
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AGM12T12A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V
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AGM15T13A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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AGM206A

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):85A
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AGM3015A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM30P05A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM30P08A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM30P100A

AGMSEMI(芯控源)

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AGM30P10A

AGMSEMI(芯控源)

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AGM310A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM401A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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