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RC70N06AGD5

RealChip(正芯半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SKQ14N15AD

SHIKUES(时科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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SKQ18P02AD

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SKQ35P03AD

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SKQ40P02AD

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SKQ50P03AD

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SKQ90N03AD

SHIKUES(时科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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WMB032N04LG2

Wayon(上海维安)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):90A
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WMB043N10LGS

Wayon(上海维安)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):120A
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WMB060N10LGS

Wayon(上海维安)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):96A
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WMB100N04TS

Wayon(上海维安)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):125A
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WMB115N15HG4

Wayon(上海维安)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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XR100N02F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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XR100N03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR100N04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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XR100P04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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XR110P03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR150N03F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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XR150N04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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XR20G10F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):15A
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XR20P06F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):20A
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XR20P70F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):18V
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XR20P80F

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):18V · 连续漏极电流(Id):85A
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XR25P04F

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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