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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGMSEMI(芯控源)ASDsemi(安森德)
封装/规格：
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AGM01P15AP

AGMSEMI(芯控源)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM1030AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):20A
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AGM1075MBP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):12A
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AGM1095MAP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM12N10AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM14N10AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM2025AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):115A
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AGM20P30AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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AGM3045AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM304AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM306MBP

AGMSEMI(芯控源)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM308MAP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):28A
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AGM30P16MBP

AGMSEMI(芯控源)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM311MAP-M1

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM314MAP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM403AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM40P25AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):19A
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AGM40P35AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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AGM60P14AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):52A
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AGM60P85AP

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM612MBP

AGMSEMI(芯控源)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM613AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):23A
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AGM614MBP

AGMSEMI(芯控源)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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ASDM30DN30E-R

ASDsemi(安森德)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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