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TO-263-7 碳化硅(SiC)器件 现货库存

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TO-263-7 碳化硅(SiC)器件 现货结果

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封装：TO-263-7类目：碳化硅(SiC)器件
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结果货架 当前页 24 行 / 共 81 个 封装：TO-263-7 / 类目：碳化硅(SiC)器件
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263-7 可供数量1,004 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
1,004
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AIMBG120R030M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

AIMBG120R030M1XTMA1
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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AIMBG120R080M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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AIMBG120R160M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):17A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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AIMBG75R040M1HXTMA1

Infineon(英飞凌)

漏源电压(Vdss):750V · 耗散功率(Pd):211W
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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BCBF170N650T1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C2M1000170J-TR

CREE LED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0025065J1

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0032120J1

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0040120J1

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0040120J1-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0060065J

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0065090J

CREE LED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0065090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0065100J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120J

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0075120J-TR

WOLFSPEED

C3M0075120J-TR
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C3M0120065J

WOLFSPEED

C3M0120065J
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TO-263-7
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C3M0120090J

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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C3M0120090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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TO-263-7
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C3M0280090J

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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TO-263-7
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C3M0280090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0350120J

WOLFSPEED

类型:N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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CMS120N080B

Bruckewell(隽佾)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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TO-263-7
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