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AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价
AIMBG120R080M1XTMA1,Infineon(英飞凌),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-263-7封装,询盘确认库存,特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55…175℃。 IDDC = 30 A,TC = 25℃。 RDS(on) = 80 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25℃。应用:车载充电
- MPN
- AIMBG120R080M1XTMA1
- 品牌/制造商
- Infineon(英飞凌)
- 封装
- TO-263-7
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AIMBG120R080M1XTMA1
