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TO-247-4L 碳化硅(SiC)器件 现货库存

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TO-247-4L 碳化硅(SiC)器件 现货结果

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封装:TO-247-4L类目:碳化硅(SiC)器件
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结果货架 当前页 24 行 / 共 217 个 封装:TO-247-4L / 类目:碳化硅(SiC)器件
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ADQ120N040BH

ANHI(安海)

VDS=1200V · Id=50.5A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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ADQ120N040G2

ANHI(安海)

耐压:1.2kV 电流:68A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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ADQ120N080G2

ANHI(安海)

类型:N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道碳化硅场效应管(MOSFET) · 具有出色的电性能和可靠性
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZH120R080M1T-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZH120R080M1TXKSA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):32A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZHN120R060M1T-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZHN120R060M1TXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZHN120R080M1T-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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AIMZHN120R080M1TXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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BCZ120N160W1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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BCZ120N40M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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BCZ120N40P1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:单管
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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BCZ65N45M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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BCZ75N11W1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:N沟道
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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C2M0045170P

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
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TO-247-4L
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C3M0030090K

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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TO-247-4L
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C3M0040120K-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):78A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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C3M0040120K-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
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TO-247-4L
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C3M0045065K

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TO-247-4L
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C3M0075120K-A-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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TO-247-4L
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C3M0075120K-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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C3M0075120K1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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C3M0120065K

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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