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C3M0040120K-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0040120K-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流能力，导通电阻为40mΩ，适用于高效率、高频工作的电力电子系统。碳化硅材料带来优异的热导率和耐高压特性，有效提升器

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MPN
C3M0040120K-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/C3M0040120K-HXY
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