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DFN-5 现货结果

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S3D03065L

SMC(桑德斯)

整流电流:17A · 正向压降(Vf):1.7V@3A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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S3D06065L

SMC(桑德斯)

整流电流:24A · 正向压降(Vf):1.7V@6A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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S3D08065L

SMC(桑德斯)

S3D08065L
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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S3D10065L

SMC(桑德斯)

整流电流:31A · 正向压降(Vf):1.7V@10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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KN3D06065G

KNSCHA(科尼盛)

二极管配置:独立式 · 整流电流:6A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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KN3D10065G

KNSCHA(科尼盛)

二极管配置:独立式 · 整流电流:10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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S4D10120L1

SMC(桑德斯)

整流电流:10A · 正向压降(Vf):1.8V@10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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LGE3D06065G

LGE(鲁光)

LGE3D06065G
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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WNSC08650T6J

WeEn(瑞能)

二极管配置:独立式 · 整流电流:8A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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WNSC04650T6J

WeEn(瑞能)

二极管配置:独立式 · 整流电流:4A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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WNSC06650T6J

WeEn(瑞能)

二极管配置:独立式 · 整流电流:6A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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WNSC10650T6J

WeEn(瑞能)

二极管配置:独立式 · 整流电流:10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5
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FFSM0465A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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FFSM0665B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构 · 额定正向电流（IF）为6A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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FFSM0865A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 额定平均正向整流电流为8A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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FFSM0865B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构 · 具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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FFSM1065A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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FFSM1065B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计 · 额定正向电流（IF）为10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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S3D08065L-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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S3D10065L-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构 · 额定正向电流（IF）为10A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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IDL04G65C5-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构 · 额定正向电流（IF）为4A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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IDL08G65C5-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 额定正向电流（IF）为8A
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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SIC0860PL8-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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封装DFN-5B 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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SIC1060PL8-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
DFN-5B
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