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FFSM0865B-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FFSM0865B-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，DFN-5B封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的