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TO-263 二极管 > 碳化硅二极管 现货库存

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TO-263 二极管 > 碳化硅二极管 现货结果

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封装：TO-263类目：二极管 > 碳化硅二极管
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结果货架 当前页 24 行 / 共 112 个 封装：TO-263 / 类目：二极管 > 碳化硅二极管
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AIDK08S65C5-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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TO-263
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C6D06065G-TR-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR）
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C6D08065G-TR

WOLFSPEED

C6D08065G-TR
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C6D08065G-TR-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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C6D20065G

WOLFSPEED

C6D20065G
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C6D20065G-TR

WOLFSPEED

C6D20065G-TR
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CI10S120M3

Tokmas(托克马斯)

二极管配置:独立式 · 整流电流:33A
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CI10S65M3

Tokmas(托克马斯)

二极管配置:独立式 · 整流电流:29A
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CI20S120M3

Tokmas(托克马斯)

二极管配置:独立式 · 整流电流:54.5A
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DDF3D06065G

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 6A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.6V@6A
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DDF3D08065G

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 8A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.8V@8A
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DDF3D15065G

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 15A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.8V@20
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E3D08065G-TR

WOLFSPEED

E3D08065G-TR
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E3D08065G-TR-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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FFSB0665A

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 整流电流:9A
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FFSB0665A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构 · 额定平均正向电流（IF）为6A
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TO-263
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FFSB0665B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR）
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TO-263
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FFSB0865A

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 整流电流:15.4A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263
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FFSB0865A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263
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FFSB0865B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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FFSB1065A

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 整流电流:14A
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二极管 / 碳化硅二极管
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FFSB1265A

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 整流电流:14A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263
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FFSB20120A

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 整流电流:32A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263
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FFSB3065B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263
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