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E3D08065G-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

E3D08065G-TR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开