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TO-263-6 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-263-6 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TO-263-6类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)RENESAS(瑞萨)/IDTLittelfuse/IXYSGOFORD(谷峰)
封装/规格：
TO-263-6
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结果货架 当前页 24 行 / 共 28 个 封装：TO-263-6 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

HYG028N10NS1B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态现货可下单批号批号 26+起订按需交期核对后发
封装TO-263-6 可供数量41,742 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
41,742
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GT065P06M6

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):103A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
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HY029N10B6

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):280A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
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HY3810B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
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HY4008B6

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):255A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
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HY4306B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HY4504B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HY4903B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG006N04LS1B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG013N04NA1B6

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):354A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-6
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HYG013N04NR1B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG018N10NS1B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG050N13NS1B6

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):135V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG065N15NS1B6

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):165A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IXTA180N10T7-TRL

Littelfuse/IXYS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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IXTA200N055T2-7

Littelfuse/IXYS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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IXTA380N036T4-7-TR

Littelfuse/IXYS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):36V
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NP160N055TUJ-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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NP160N055TUK-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NP161N04TUG-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NP179N04TUK-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NP179N055TUK-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NP180N04TUG-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NP180N04TUK-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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