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HYG006N04LS1B6 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG006N04LS1B6，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-263-6封装，询盘确认库存，特性：40V/530A，RDS(ON) = 0.55mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 0.72mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。可靠耐用。有无卤器件可供选择。应用：负

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MPN: HYG006N04LS1B6
品牌/制造商: HUAYI(华羿微)
封装: TO-263-6
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HYG006N04LS1B6

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