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TO-247-3L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-247-3L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TO-247-3L类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 46 个 封装：TO-247-3L / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ADW120N080G2

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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APC60R030WMF

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ASW65R022EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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ASW65R095EFD

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BMW65N028UA1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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BMW80N180C1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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BMW95N180UE1Z

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):950V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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CRJQ30N60G2F

CRMICRO(华润微)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):83A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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CRJQ41N65GCF

CRMICRO(华润微)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):74A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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CRJQ74N60G2BF

CRMICRO(华润微)

CRJQ74N60G2BF
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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JMSH1002AS-U

JJW(捷捷微)

JMSH1002AS-U
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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MDDG1C120R040K3

MDD(辰达半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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MJQ30N65

MP(美禄科技)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NCEP02T10T

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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P3M06040K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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P3M06060K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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P3M06120K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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P3M06300K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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P3M12025K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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TO-247-3L
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P3M12040K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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P3M12080K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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P3M12160K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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P3M171K0K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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P3M171K2K3

PN Junction

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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