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封装：QFN-8类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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这 4 款进清单
类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TOSHIBA(东芝)DIOTEC(德欧泰克)TI(德州仪器)
封装/规格：
QFN-8
更多：
结果货架 当前页 7 行 / 共 7 个 搜索：8 / 封装：QFN-8 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

DI048N04PT-AQ

DIOTEC(德欧泰克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装QFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
询盘确认
询盘报价
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CSD16401Q5

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):25V
状态现货可下单批号批号 21+起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量2,500 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
2,500
询盘报价
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CSD16410Q5A

TI(德州仪器)

漏源电压(Vdss):25V · 连续漏极电流(Id):59A
状态现货可下单批号批号 20+起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量1,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
1,000
询盘报价
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DI040P04PT-AQ

DIOTEC(德欧泰克)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装QFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
询盘确认
询盘报价
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还有 3 个型号需要时再展开完整结果展开

TPHR6503PL,L1Q

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态现货可下单批号批号 20+起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量50,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
50,000
询盘报价
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TPW2900ENH,L1Q

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):33A
状态现货可下单批号批号 19+起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量24,746 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
24,746
询盘报价
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TPH2R306NH,L1Q(M

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):60A
状态现货可下单批号批号 2502起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量95,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
95,000
询盘报价
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