QFN-8

TPH2R306NH,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与询价

TPH2R306NH,L1Q(M，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，QFN-8封装，95,000件现货，特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS

型号

TPH2R306NH,L1Q(M

品牌

TOSHIBA(东芝)

制造商

TOSHIBA(东芝)

分类

三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)

封装

QFN-8

批号

2502

库存状态

95,000 件现货

报价方式

询盘报价

人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量

BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复

资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对

交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

QUICK SOURCING

先把 TPH2R306NH,L1Q(M 放入采购台

适合从搜索引擎进入后先保留型号，再继续找同封装、同品牌或统一转 BOM。

95,000库存 QFN-8主封装 TOSHIBA(东芝)品牌

暂存当前型号 加入 BOM 同封装现货

PROCUREMENT FLOW

把这个型号推进到采购清单

适合先暂存再批量核价

01型号识别TPH2R306NH,L1Q(M

02库存/封装95,000 件现货 · QFN-8

03批量处理暂存、对比或转入 BOM

04询价确认批号、包装、交期和检测资料

暂存型号 加入对比 加入 BOM 核对 PDF

BUYER CHECK

采购确认清单

带入 BOM

库存

现货 95,000 件，提交后核对批号与可发数量。

资料

采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。

封装

QFN-8 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。

同品牌型号同封装现货提交询价

NEXT STEP

继续找料与替代

复制/搜索型号

同封装QFN-8 同品牌TOSHIBA(东芝) 同类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) BOM带入当前型号

推荐组合 当前型号 + 4 个同类候选，适合一起核价、对比和确认替代范围。

组合转 BOM 组合对比 暂存组合

CSD16401Q5TI(德州仪器) · QFN-8 2,500 件 询价

CSD16410Q5ATI(德州仪器) · QFN-8 1,000 件 询价

FDV301Nonsemi(安森美) · SOT-23 2,544,386 件 询价

IRF640NPBFOSEN(欧芯) · TO-220 1,084,213 件 询价

从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。