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UT3N06G-AB3-R SOT-89 产品封装示意图

图片按封装类型匹配，仅供识别包装形态，实物与批号请以询价确认结果为准。

BUYER SIGNALS

采购信号
转 BOM
库存120,000 件现货 封装SOT-89 资料官方资料可核对 建议先暂存再核批号
同封装 加入 BOM 官方 PDF 继续搜索
SOT-89

UT3N06G-AB3-R UTC(友顺) 现货与询价

UT3N06G-AB3-R，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-89封装，120,000件现货，UTC UT3N06是一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻。它效率高且性价比出色，广泛适用于商业和工业领域。

型号
UT3N06G-AB3-R
品牌
UTC(友顺)
制造商
UTC(友顺)
分类
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装
SOT-89
批号
2026+
库存状态
120,000 件现货
报价方式
询盘报价

RFQ READINESS

核价准备度 100%

适合直接提交核价
1库存120,000 件公开现货
2封装SOT-89
3品牌UTC(友顺)
4批号2026+
5资料可打开官方 PDF
信息较完整，可先加入 BOM，由业务继续核对批号、包装、交期和最终报价。 带入 BOM 核价
人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

QUICK SOURCING

先把 UT3N06G-AB3-R 放入采购台

适合从搜索引擎进入后先保留型号，再继续找同封装、同品牌或统一转 BOM。

120,000库存 SOT-89主封装 UTC(友顺)品牌
加入 BOM 同封装现货 封装专题

PROCUREMENT FLOW

把这个型号推进到采购清单

适合先暂存再批量核价
01型号识别UT3N06G-AB3-R
02库存/封装120,000 件现货 · SOT-89
03批量处理暂存、对比或转入 BOM
04询价确认批号、包装、交期和检测资料
加入对比 加入 BOM 核对 PDF

BUYER CHECK

采购确认清单

带入 BOM
库存

现货 120,000 件，提交后核对批号与可发数量。

资料

采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。

封装

SOT-89 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。

同品牌型号同封装现货替代料候选封装专题品牌专题制造商页提交询价

NEXT STEP

继续找料与替代

复制/搜索型号
同封装SOT-89 同品牌UTC(友顺) 同类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装页SOT-89 品牌页UTC(友顺) 制造商UTC(友顺) 替代料候选与边界 BOM带入当前型号
推荐组合 当前型号 + 4 个同类候选，适合一起核价、对比和确认替代范围。
组合转 BOM 组合对比
AP4438ALLPOWER(铨力) · SOT-89 询盘确认 询价
XP161A11A1PR-GTOREX(特瑞仕) · SOT-89 询盘确认 询价
VP2450N8-GMicrochip(美国微芯) · SOT-89 询盘确认 询价
3401P-MSMSKSEMI(美森科) · SOT-89 询盘确认 询价

从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。

进入询价查替代料打开制造商官方PDF提交 BOM 配单

ENGINEERING DATA

UT3N06G-AB3-R 工程资料与采购核对

从搜索结果进入详情页后，先按资料、封装、制造商、替代候选四个维度完成初筛，再提交 BOM 确认数量、批号、包装、交期和报价。

UT3N06G-AB3-R SOT-89 封装图
01

制造商 PDF

优先打开官方资料，核对封装、引脚、电气参数、温度等级和订购后缀。

打开资料
02

封装图与同封装

SOT-89 用于包装形态初筛；同封装仍需继续核对尺寸、引脚和参数。

查看封装
03

制造商与品牌

UTC(友顺) 用于区分库存品牌和官方资料来源，避免品牌/制造商混淆。

制造商页
04

替代与对比

缺货或弱匹配时，先看同类候选，再把原型号和候选转入 BOM 复核替代边界。

替代候选
带入 BOM 询价 单型号对比 同类目现货 资料页

资料、封装图、同封装和替代候选只用于工程与采购初筛，正式采购仍需业务确认最终库存、批号、包装、检测资料、含税报价和交付条件。

商品参数

数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V
2A2A

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库存 询盘确认SOT-89

XP161A11A1PR-G

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库存 询盘确认SOT-89

VP2450N8-G

Microchip(美国微芯) VP2450是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

库存 询盘确认SOT-89

3401P-MS

MSKSEMI(美森科) 3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET

库存 询盘确认SOT-89

HSK5P10

HUASHUO(华朔) HSK5P10是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSK5P10符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

库存 询盘确认SOT-89

WSE3099

WINSOK(微硕) WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

库存 询盘确认SOT-89

AFT05MS004NT1

NXP(恩智浦) 设计用于频率范围为 136 至 941 MHz 的手持双向无线电应用。该器件的高增益、耐用性和宽带性能使其非常适合用于手持无线电设备中的大信号共源放大器应用。

库存 询盘确认SOT-89

LN2670TZHG

LRC(乐山无线电) 特性：低导通电阻（RDS(on)）沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料无卤，符合RoHS要求。应用：电源路由。 DC/DC转换

库存 询盘确认SOT-89

CPC3714CTR

Littelfuse/IXYS 1个N沟道 耐压:350V

库存 询盘确认SOT-89

SE0108A

SINO-IC(光宇睿芯) SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它适用于各种应用。

库存 询盘确认SOT-89

TP2540N8-G

Microchip(美国微芯) TP2540 低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合造就的器件具备双极型晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

库存 询盘确认SOT-89

DOW9N03

DOINGTER(杜因特) N管/30V/9A/25mΩ/(典型18mΩ)

库存 询盘确认

PROCUREMENT FAQ

采购常见问题

UT3N06G-AB3-R 是否有现货？

UT3N06G-AB3-R 当前公开库存为 120,000 件，最终可供数量、批号、包装和交期以业务确认报价为准。

如何核对 UT3N06G-AB3-R 的官方资料？

页面提供 UT3N06G-AB3-R 的制造商资料入口，采购前建议核对封装、关键电气参数、温度等级和订购料号。

找不到完全一致的 UT3N06G-AB3-R 时怎么办？

可以按 UTC(友顺)、SOT-89 和同类目继续筛选相似型号，也可以在 BOM 备注中写明替代要求。