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TPHR8504PL,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPHR8504PL,L1Q(M,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOP-8Advance封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。
- MPN
- TPHR8504PL,L1Q(M
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- SOP-8Advance
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPHR8504PL%2CL1Q(M
