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TPH2R306NH,L1Q TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TPH2R306NH,L1Q，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，VDFN-8封装，询盘确认库存，特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60