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TPH1R306PL,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPH1R306PL,L1Q(M,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,询盘确认库存,特性:QSW = 22nC(标准)。 QSS = 77.5nC(标准)。 RDS(ON) = 1.0mΩ(标准)(VGS = 10V)。 IDS = 10μA,VDS = 60V。 Vth = 1.5~2.5V(ID
- MPN
- TPH1R306PL,L1Q(M
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- SOP-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPH1R306PL%2CL1Q(M
