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TPD1E01B04DPYR-N BORN(伯恩半导体) 现货与清单询价

TPD1E01B04DPYR-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006封装，询盘确认库存，特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微小的 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

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MPN: TPD1E01B04DPYR-N
品牌/制造商: BORN(伯恩半导体)
封装: DFN-1006
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/TPD1E01B04DPYR-N

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