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SZMMBZ18VALT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SZMMBZ18VALT1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 稳压二极管，SOT-23封装，询盘确认库存，该静电和浪涌保护器件采用单向（Uni）结构，具备1.6A的峰值脉冲电流（IPP）能力，能够有效吸收静电放电（ESD）及瞬态电压干扰带来的能量冲击。其反向工作电压（VRWM）为14.5V，适用于中压信号线路的保护需求。器件提供2通道

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MPN: SZMMBZ18VALT1G-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/SZMMBZ18VALT1G-HXY

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