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STFW3N150-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STFW3N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作场景。其最大漏极电流3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承

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MPN: STFW3N150-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/STFW3N150-HXY

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