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NVBG020N120SC1 onsemi(安森美) 现货与清单询价
NVBG020N120SC1,onsemi(安森美),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),D2PAK-7封装,询盘确认库存,特性:Typ. RDS(on) = 20 mΩ。 超低栅极电荷:Typ. QG(tot) = 220 nC。 低有效输出电容:Typ. Coss = 258 pF。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备P
- MPN
- NVBG020N120SC1
- 品牌/制造商
- onsemi(安森美)
- 封装
- D2PAK-7
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/NVBG020N120SC1
