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NTBG060N090SC1 onsemi(安森美) 现货与清单询价

NTBG060N090SC1，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，D2PAK-7封装，询盘确认库存，特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = 15 V时为60 mΩ；在VGS = 18 V时为43 mΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 88 nC。 低电容高速开关（Coss = 115 pF）。 100%