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NP2016DR-N-G natlinear(南麟) 现货与清单询价

NP2016DR-N-G，natlinear(南麟)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-6L-B封装，询盘确认库存，NP2016采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。