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NDTL03N150CG-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NDTL03N150CG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的最大连续工作电流（ID），导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V栅源电压（VGS）。该器件具有良好的开关性

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MPN: NDTL03N150CG-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NDTL03N150CG-HXY

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