PUBLIC PAGE SUMMARY

IXTQ3N150M-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTQ3N150M-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率电路中的开关与调节应用。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证性能的同时降低了导通