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HYG110P04LQ2C2 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG110P04LQ2C2,HUAYI(华羿微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),PDFN8L封装,50,780件现货,特性:40V / -55A。 RDS(on)=9.0 mΩ (典型值) @ VGS=-10V。 RDS(on)=13.0 mΩ (典型值) @ VGS=-4.5V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供

MPN
HYG110P04LQ2C2
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
PDFN8L
库存状态
50,780 件公开现货
资料入口
/datasheet/HYG110P04LQ2C2
公开内容边界

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