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HIDW40G120C5B HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIDW40G120C5B，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制